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Il est de plus en plus courant de voir des circuits d’alimentation dotés de semi-conducteurs à large bande interdite plutôt que de transistors bipolaires à grille isolée au silicium (IGBT) traditionnels. Ce commutateur présente des avantages évidents en termes de performances, et avec la baisse des coûts, les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) et en nitrure de gallium (GaN) sont plus accessibles que jamais.

Même si le processus fondamental de conception des circuits ne change pas, le remplacement d’un composant aussi vital qu’un semi-conducteur provoque un effet domino dans le processus de sélection des composants. Avec l’évolution vers les semi-conducteurs à large bande interdite, les ingénieurs doivent prendre du recul et jeter un nouveau regard sur des facteurs tels que la tension nominale, la valeur de capacité, la résistance série équivalente (ESR) et l’inductance série équivalente (ESL) dans le processus de conception.

Dans ce livre blanc, nous aborderons la dérivation de base de l’amortisseur pour un circuit de commutation simple. Bien que les circuits d’amortissement soient beaucoup plus complexes en pratique, cet exercice est utile pour comprendre l’impact de ces commutateurs sur le dimensionnement du condensateur d’amortissement.